{C} 中华人民共和国最高人民法院 民 事 判 决 书 (2020)最高法知民终1359号 上诉人(原审被告):无锡乐尔科技有限公司。
住所地:江苏省无锡市高浪东路999-8-A2-501。
法定代表人:王建国,该公司总经理。
委托诉讼代理人:周美华,北京易聚律师事务所律师。
委托诉讼代理人:马琳琳,北京易聚律师事务所律师。
上诉人(原审第三人):王建国,男,1973年1月21日出生,汉族,住广东省深圳市南山区。
委托诉讼代理人:周美华,北京易聚律师事务所律师。
委托诉讼代理人:马琳琳,北京易聚律师事务所律师。
被上诉人(原审原告):江苏多维科技有限公司。
住所地:江苏省张家港保税区广东路7号E栋。
法定代表人:XUESONGSHENG(薛松生),该公司董事长兼总经理。
委托诉讼代理人:胡上海,北京超成律师事务所律师。
委托诉讼代理人:王小梅,北京超成律师事务所律师。
上诉人无锡乐尔科技有限公司(以下简称乐尔公司)、王建国因与被上诉人江苏多维科技有限公司(以下简称多维公司)专利权权属纠纷一案,不服江苏省苏州市中级人民法院于2020年6月9日作出的(2019)苏05知初529号民事判决,向本院提起上诉。
本院于2020年8月17日立案后,依法组成合议庭,并于2020年9月24日依法对本案进行了询问,上诉人乐尔公司的法定代表人王建国以及乐尔公司、王建国的共同委托诉讼代理人周美华、马琳琳,被上诉人多维公司的法定代表人薛松生及多维公司的委托诉讼代理人胡上海、王小梅到庭参加询问。
本案现已审理终结。
乐尔公司上诉请求:1.撤销原审判决;
2.确认第201210409149.6号“一种电流传感器”专利(以下简称诉争专利)权归乐尔公司所有;
3.本案诉讼费用由多维公司承担。
事实与理由:(一)原审判决认定王建国为多维公司的员工属于事实认定错误。
王建国从2009年9月起便担任乐尔公司的法定代表人,在多维公司处仅担任董事,双方之间并未签订劳动合同,不能据此认定员工身份。
(二)原审判决认定王建国的本职工作为研发属于事实认定错误。
王建国在多维公司处担任首席运营官,仅负责商业运营及市场,不参与任何实际的研发工作。
首先,多维公司在原审中所提交的证据8、12,充分说明王建国担任首席运营官,仅负责市场,并非如原审法院认定的研发。
其次,原审判决认定王建国的本职工作为研发的所有邮件证据中,王建国均是作为邮件的抄送人存在,并非为发件人或者收件人,原审法院据此认定王建国的本职工作为研发,与实际情况不符、属于明显的事实认定错误。
综上,原审法院认定王建国为多维公司的员工且本职工作为研发存在严重的事实认定错误,请求予以撤销。
(三)原审法院认定诉争专利与王建国的本职工作相关属于严重的事实认定错误。
首先,多维公司并未对诉争专利的技术内容进行任何研发,即便王建国为多维公司的员工,其也不可能参与到与诉争专利相关的研发工作中。
原审法院在无其他研发证据的支持下,仅依靠邮件中提到了图纸便认定多维公司进行了相应的研发,未考虑本领域的研发现状,也未查明多维公司是否进行了真正的研发,便据此认定了王建国的研发内容,属于严重的事实认定错误。
其次,原审法院在认定技术相关性的过程中,从多维公司提交的证据15中提取了BELLNT50AMR各项异性磁阻闭环设计图纸,从证据12中提取了Q8N3J1设计图,从证据17的专利文件中提取了部分技术特征,而此篇专利的发明人中并不包括王建国,王建国与此篇专利无任何关系,最为重要的是前述证据之间并无任何关联。
因此,在多维公司未提交整体的立项研发资料的情况下,原审法院从相互独立、无任何关联的证据中分别提取了部分技术特征,与诉争专利中包含的部分技术特征对应,在未考虑诉争专利整体的技术方案的基础上,便认定诉争专利与王建国的本职工作有关,属于严重的事实认定错误,应当予以撤销。
综上,王建国在多维公司处担任董事,并非为员工,且多维公司提供的证据并未涉及诉争专利的核心内容,也未公开诉争专利的整体技术方案,诉争专利与王建国的本职工作不具有任何相关性。
原审判决事实认定错误,适用法律错误,应当予以撤销。
王建国的上诉请求、事实与理由同乐尔公司。
多维公司辩称:原审判决认定事实清楚,适用法律正确。
王建国在多维公司参与研发工作,有邮件为证,并且诉争专利符合职务发明的要求,故请求驳回乐尔公司、王建国上诉请求,维持原判。
多维公司向原审法院提起诉讼,原审法院于2019年6月24日立案受理。
多维公司诉讼请求:1.确认诉争专利权归多维公司所有;
2.乐尔公司和王建国承担本案维权费用35000元,并承担本案诉讼费用。
事实与理由:多维公司成立于2010年5月,注册资本3.6936亿元人民币,经营范围包括“传感器芯片、集成电路芯片及相关电子产品的设计、生产、研发及销售;
并提供售后服务”。
诉争专利于2015年8月19日授权公告,其申请日为2012年10月24日,申请人为乐尔公司。
诉争专利的发明人王建国于2010年5月至2012年6月在多维公司任首席运营官职务,后任多维公司董事,一直负责磁传感器的研究开发及运营工作。
在多维公司工作期间,完成多项发明,多维公司提交了包括王建国为发明人的多项发明专利申请,涉及磁传感器与磁头领域。
王建国在多维公司任职期间,即与白建民等人策划成立乐尔公司,目前王建国为乐尔公司法定代表人。
诉争专利名为“一种电流传感器”,与王建国在多维公司所承担的本职工作相关。
诉争专利系王建国从多维公司离职一年内做出的与在原单位承担的本职工作有关的发明创造,根据《中华人民共和国专利法实施细则》第十二条的规定,诉争专利属于《中华人民共和国专利法》(以下简称专利法)第六条所称执行本单位的任务所完成的职务发明创造,诉争专利应归多维公司所有。
关于维权费用问题。
本案的专利权权属纠纷是由于乐尔公司、王建国将多维公司的技术成果擅自申请专利引起的权属纠纷,其本质是侵害多维公司专利申请权的行为,参照专利法及司法解释关于维权合理开支的规定,应由乐尔公司、王建国承担本案的维权费用。
乐尔公司原审辩称:1.王建国并不能直接地确认为多维公司的员工。
王建国自从2009年9月份便创立了乐尔公司,并且一直担任乐尔公司的法定代表人,而其在多维公司担任的仅仅是董事身份。
故不能基于董事身份直接认定王建国为多维公司的员工。
2.即便认为王建国是多维公司的员工,其所担任的本职工作是市场开拓相关的工作,并非研发工作。
诉争专利的完成与王建国在多维公司的本职工作无任何关系。
3.诉争专利的完成没有利用多维公司的物质技术条件。
4.本案是专利权属纠纷,维权合理开支不应得到支持,且多维公司所主张的合理费用过高。
王建国的答辩意见同乐尔公司。
原审法院认定如下事实: 一、主体情况 多维公司成立于2010年5月,经营范围为进出口业务;
传感器芯片、集成电路芯片及相关电子产品的设计、生产、研发及销售;
并提供售后服务。
2011年12月20日,多维公司向国家知识产权局申请了“一种电流传感器”的实用新型专利,于2012年9月5日获得授权。
王建国系该专利的发明人之一。
该专利说明书记载的具体实施方式包含以下内容“图1是一个MTJ多层膜元件的功能概念简图。
图8是一种MTJ惠斯通推挽全桥的概念图。
图13是含温度补偿电阻的MTJ推挽全桥电流传感器芯片的概念图。
” 2012年3月14日,多维公司向国家知识产权局申请了“一种磁电阻磁场梯度传感器”的发明专利,于2014年4月16日获得授权。
在该专利的说明书中记载:[0027]图1是一个MTJ多层膜元件的功能概念简图。
[0028]底电极层9和顶电极层6直接与相关的反铁磁层2和磁性自由层5电接触。
[0029]适合线性磁场测量的GMR或MTJ元件的响应图如图2所示。
[0034]MTJ元件1在底电极9和顶电极6层中间成三明治结构。
[0035]电桥是用来将磁电阻传感器的电阻值变化转化为电压信号,使其输出电压便于被放大。
这可以改变信号的噪声,取消共膜信号,减少温漂或其他的不足。
上述的MTJ原件串20可以连接构成电桥。
[0074]如图10所示,惠斯通全桥结构中处于相对位置的桥臂电阻R1和R4处于梯度磁场的同一位置,惠斯通全桥结构中处于相对位置的桥臂电阻R2和R3处于梯度磁场统一位置,所有桥臂电阻的灵敏度方向相同,MTJ磁电阻20周围是倾斜设置的永磁体22。
[0081]上述的半桥和全桥型梯度计可以在同一基片上采用相同的工艺一次性制备而成,我们通常称之为单一芯片磁电阻磁场梯度传感器。
也可以采用不同芯片封装,在同一基片上采用相同的工艺制备n个磁电阻,然后将单个磁电阻芯片切割加工之后通过引线连接磁电阻的电触点实现电连,构成半桥或全桥结构。
多维公司主张王建国自2010年5月至2012年6月期间在其公司任职,任首席运营官及董事,并提交了在此时间段内王建国个人社会保险参保证明、个人所得税缴税记录、董事委派书、多份董事会决议、王建国接受媒体采访的报道、公司内部往来邮件等予以佐证。
王建国作为多维公司核心成员之一,自2010年开始参与并负责多维公司电流传感器项目的研发,至2012年3月18日其向多维公司法定代表人等人员发送多份有关于电流传感器的设计文档、测试数据、技术指标、汇报材料等,包括有电流传感器的多份设计图,其中一张设计图如下所示: 2011年8月28日至2011年11月17日,多维公司研发人员间就电流传感器的研发问题有大量邮件往来,该部分邮件均一并发送或抄送给王建国。
这部分邮件中有如下内容:“我们确定了ASIC和TMR焊盘定义。
我为TMR做了一张草图(如下图所示)……”“我们将使用这种TMR芯片构建我们的电流传感器……我们的一次电流导线将使用外部U形流导线,圆片上的线圈用作二次载流导线。
因此,我们需要将TMR与ESD芯片封装在一起。
”上述邮件中包含了大量的设计图,其中2011年11月17日邮件中的Q8N3J1设计图在多封邮件中被引用和提及,设计图如下: 王建国在多维公司期间系多维公司“年产10亿个TMR磁阻传感器芯片和10亿个ASIC芯片”和“高性能、低功耗TMR磁传感器芯片的产业化”这两个研发项目的负责人,其自身专业领域为物体磁性薄膜物理及TMR芯片在硬盘驱动器上的应用。
王建国作为多维公司37项专利的发明人之一。
该37项专利涉及的领域大多为磁阻传感器和磁头技术领域。
王建国在多维公司期间还以员工身份与其他人合作在期刊上公开发表名为《隧道磁阻(TMR)磁传感器的特性及应用》的文章。
乐尔公司成立于2009年9月,公司成立之初名称为无锡微磁传感科技有限公司,法定代表人王建国,公司股东为王建国和黄超琼,经营范围为电子产品、传感器、芯片的研发、销售;
集成电路的设计;
技术服务;
技术转让;
技术咨询。
2010年2月,无锡微磁传感科技有限公司核准更名为无锡绿树科技有限公司。
2012年5月,无锡绿树科技有限公司核准更名为现在的乐尔公司,公司的股东也进行了变更。
截至2012年6月,乐尔公司无任何专利申请。
2009年11月至2012年6月,乐尔公司的财务报表中每月的应付工资、应付福利费用均为0,该期间内大部分月份的销售(营业)收入为0。
王建国自2009年至2012年期间内,亦在乐尔公司缴纳了社会保险,领取了工资。
二、关于诉争专利技术 2012年10月24日,乐尔公司作为申请人,王建国作为发明人,向国家知识产权局提交诉争专利申请。
并于2015年8月19日获得授权公告。
诉争专利的权利要求为: 1.电流传感器,其特征在于,该电流传感器包括磁电阻集成芯片、运算放大器、电阻、印刷线路板和U形的待测电流导线;
所述磁电阻集成芯片、所述运算放大器和所述电阻固定于所述印刷线路板的一侧,所述待测电流导线固定于所述印刷线路板的另一侧,且所述磁电阻集成芯片与所述待测电流导线的中心位置相对;
所述磁电阻集成芯片的由芯片单元的磁电阻元件构成的电桥的输出端与所述运算放大器的输入端连接,所述磁电阻集成芯片的补偿导线层的一个自由端与所述运算放大器的输出端连接,所述磁电阻集成芯片的补偿导线层的另一个自由端与所述电阻的一端连接,所述电阻的另一端接地;
所述磁电阻集成芯片包括4N个结构相同的芯片单元,N=1,2,3,4…每一个所述芯片单元为多层膜结构,每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层;
所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层,所述绝缘层的形状与所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层的形状匹配;
所述4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的,该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形;
所述4N个芯片单元的磁电阻元件相同,所述4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥;
所述至少一个软磁层为第一软磁层、第二软磁层和第三软磁层,所述第二软磁层、所述第三软磁层和所述磁电阻元件设于基片上,所述磁电阻元件设于所述第二软磁层与所述第三软磁层之间的间隙内,所述磁电阻元件的厚度小于所述第二软磁层和所述第三软磁层的厚度,所述补偿导线层设于所述第二软磁层和所述第三软磁层上,所述第一软磁层设于补偿导线层上。
2.根据权利要求1所述的电流传感器,其特征在于,所述第二软磁层和第三软磁层在平行于基片的平面内呈矩形。
3.根据权利要求1所述的电流传感器,其特征在于,所述第二软磁层和第三软磁层在平行于基片的平面内呈梯形,且第二软磁层和第三软磁层的较短的边靠近磁电阻元件。
4.根据权利要求1所述的电流传感器,其特征在于,所述第一软磁层在垂直于基片的平面内呈“U”字形,且所述第一软磁层的开口端朝向所述补偿导线层、所述第二软磁层和所述第三软磁层。
5.根据权利要求1所述的电流传感器,其特征在于,当N≥2时,所述磁电阻集成芯片的任意N个芯片单元的磁电阻元件串联和/或并联构成所述电桥的一个桥臂。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的电流传感器,其特征在于,所述磁电阻元件为TMR元件、GMR元件或AMR元件。
7.电流传感器,其特征在于,该电流传感器包括磁电阻集成芯片、运算放大器、电阻、印刷线路板和U形的待测电流导线;
所述磁电阻集成芯片、所述运算放大器和所述电阻固定于所述印刷线路板的一侧,所述待测电流导线固定于所述印刷线路板的另一侧,且所述磁电阻集成芯片与所述待测电流导线的中心位置相对;
所述磁电阻集成芯片的由芯片单元的磁电阻元件构成的电桥的输出端与所述运算放大器的输入端连接,所述磁电阻集成芯片的补偿导线层的一个自由端与所述运算放大器的输出端连接,所述磁电阻集成芯片的补偿导线层的另一个自由端与所述电阻的一端连接,所述电阻的另一端接地;
所述磁电阻集成芯片包括4N个结构相同的芯片单元,N=1,2,3,4…;
每一个所述芯片单元为多层膜结构,每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层;
所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层,所述绝缘层的形状与所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层的形状匹配;
所述4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的,该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形;
所述4N个芯片单元的磁电阻元件相同,所述4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥;
所述软磁层包括第一底软磁层、第二底软磁层、顶软磁层、第一连接层和第二连接层;
所述第一底软磁层和所述第二底软磁层设于基片上,且所述第一底软磁层与第二底软磁层之间设有间隙,所述第一底软磁层通过所述第一连接层与所述顶软磁层连接,所述第二底软磁层通过所述第二连接层与所述顶软磁层连接,所述软磁层在垂直于基片的平面内呈带缺口的环形;
所述磁电阻元件设于所述第一底软磁层与所述第二底软磁层之间的间隙内,且所述磁电阻元件的厚度小于所述第一底软磁层和所述第二底软磁层的厚度;
所述补偿导线层设于所述第一底软磁层和所述第二底软磁层上,所述顶软磁层设于所述补偿导线层上。
8.根据权利要求7所述的电流传感器,其特征在于,所述第一底软磁层和所述第二底软磁层在平行于基片的平面内呈矩形。
9.根据权利要求7所述的电流传感器,其特征在于,所述第一底软磁层和所述第二底软磁层在平行于基片的平面内呈梯形,且所述第一底软磁层和所述第二底软磁层的较短的边靠近所述磁电阻元件。
10.根据权利要求7-9任意一项所述的电流传感器,其特征在于,所述磁电阻元件为TMR元件、GMR元件或AMR元件。
诉争专利第[0001]段记载:本发明涉及用于传感器技术领域,特别涉及一种电流传感器。
第[0002]至[0006]段记载诉争专利的背景技术:电流传感器在工业中的应用非常广泛。
如图1所示,现有技术中的感应线圈式电流传感器包括铁心1、线圈2、敏感元件3、电阻4和运算放大器5。
敏感元件3的输出端与运算放大器5的输入端连接,运算放大器5的输出端与线圈2的一端连接,线圈2的另一端与电阻4的一端连接,电阻4的另一端接地。
待测导线6从铁心1的内空间穿过。
敏感元件3一般采用霍尔元件或者磁电阻元件。
当待测导线6中有电流流过时,通过测量电阻4两端的电压即可得到流过待测导线6中的电流大小。
但是,上述电流传感器存在如下缺陷:(1)由于铁心和线圈的尺寸较大,整个电流传感器的尺寸也较大,一般为厘米量级;
(2)制作成本很高;
(3)产品的一致性较差;
(4)对外磁场的抗干扰能力较差。
诉争专利第[0007]段至[0011]记载诉争专利的发明内容:本发明的目的是提供一种用于电流传感器。
本发明提供的电流传感器包括磁电阻集成芯片、运算放大器、电阻、印刷线路板和U形的待测电流导线。
所述磁电阻集成芯片、所述运算放大器和所述电阻固定于所述印刷线路板的一侧,所述待测电流导线固定于所述印刷线路板的另一侧,且所述磁电阻集成芯片与所述待测电流导线的中心位置相对;
所述磁电阻集成芯片的由芯片单元的磁电阻元件构成的电桥的输出端与所述运算放大器的输入端连接,所述磁电阻集成芯片的补偿导线层的一个自由端与所述运算放大器的输出端连接,所述磁电阻集成芯片的补偿导线层的另一个自由端与所述电阻的一端连接,所述电阻的另一端接地;
所述磁电阻集成芯片包括4N(N=1,2,3,4……)个结构相同的芯片单元,每一个所述芯片单元为多层膜结构,每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层;
所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层,所述绝缘层的形状与所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层的形状匹配;
所述4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的,该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形;
所述4N个芯片单元的磁电阻元件相同,所述4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥。
第[0020]至[0023]记载了本发明具有如下有益效果:(1)由于不再需要铁心和线圈,所述电流传感器的尺寸由厘米量级缩小为毫米量级,同时制作成本明显降低;
(2)由于所述电流传感器的磁电阻集成芯片采用多层膜结构,磁电阻集成芯片中相同的层采用相同的材料和工艺一次镀膜制备形成,产品的一致性较好;
(3)所述电流传感器的磁电阻集成芯片采用电桥结构,因此所述电流传感器对外磁场的抗干扰能力明显增强。
诉争专利说明书附图2为本发明实施例1提供的用于电流传感器的剖面图,图3为本发明实施例1提供的电流传感器的电连接结构示意图,图4为本发明实施例1提供的电流传感器的磁电阻集成芯片的俯视图,图5为实施例1提供的电流传感器的磁电阻集成芯片的芯片单元的横截面示意图,图6为实施例2提供的电流传感器的磁电阻集成芯片的俯视图,图7为实施例2提供的电流传感器的磁电阻集成芯片的芯片单元的横截面示意图,图9为实施例3提供的电流传感器的磁电阻集成芯片的芯片单元的横截面示意图,各个附图如下: 三、其他事实 多维公司针对乐尔公司共计提起了13起专利权(专利申请权)权属纠纷案件。
多维公司主张其为本案诉讼支出维权合理开支35000元,并提交了律师代理合同及发票。
原审法院认为: 首先,关于王建国的身份问题。
本案中,多维公司主张王建国于2010年5月至2012年6月期间任职于多维公司,王建国认为其自2009年起一直担任乐尔公司的法定代表人,仅仅在多维公司担任董事身份,不能认定其系多维公司的员工。
对此,原审法院认为,双方是否存在劳动关系不应仅仅以是否存在明确的劳动合同为依据,而是应结合在案证据综合予以判定。
本案中,多维公司不仅提交了王建国的个人社会保险参保证明、个人所得税缴税记录、公司内部邮件往来等予以佐证,更提交了王建国作为多维公司员工接受媒体采访的报道、公开发表的文章、参与公司相关项目等证据予以证实,上述证据相互印证,足以证明王建国在此时间段实际履职于多维公司。
而乐尔公司与王建国抗辩认为王建国仅仅任多维公司董事而非员工,显然与上述诸多证据中所呈现的履职状态和内容不相符,原审法院对其抗辩意见不予采纳。
综上,原审法院依法认定王建国在2010年5月至2012年6月期间实际任职于多维公司。
其次,关于诉争专利技术与王建国在多维公司所任职工作的相关性。
从诉争专利授权文件的记载来看,诉争专利技术是为了克服现有电流传感器存在的问题而进行的改进。
诉争专利涉及电流传感器的整体结构,电流传感器在印刷板一侧固定磁电阻集成芯片、放大器和电阻,另一侧固定待测电流导线。
磁电阻集成芯片包含4N个结构相同的芯片单元,芯片单元的磁电阻元件构成电桥。
电桥输出端连接至运算放大器的输入端,补偿导线层的一个自由端连接运算放大器的输出端,另一自由端连接电阻,电阻另一端接地。
每个芯片单元中的补偿导线层是一体形成的,在平行于基片的平面内形成U字形。
4N个芯片单元中的磁电阻元件各自作为一个桥臂电连接构成一个电桥。
诉争专利提供了四种具体实施方式。
诉争专利技术相比于现有的电子传感器,优点在于:(1)由于不再需要铁心和线圈,尺寸由厘米量级缩小为毫米量级,制作成本明显降低;
(2)由于磁电阻集成芯片采用多层膜结构,芯片中相同的层采用相同的材料和工艺一次镀膜制备形成,产品的一致性较好;
(3)由于磁电阻集成芯片采用电桥结构,对外磁场的抗干扰能力明显增强。
王建国在多维公司作为首席运营官,参与了多维公司TMR电流传感器项目的研发和设计,并且是多维公司部分电流传感器专利的发明人。
经将诉争专利的权利要求、说明书内容及附图与多维公司提交的邮件证据中的技术图纸进行对比,可以看出诉争专利权利要求所记载的技术特征在技术图纸中均有部分体现。
在王建国参与项目过程中,多维公司研发团队所形成的“BELLNT50各项异性磁阻闭环设计”的设计图(原审法院此处表述不准确,易引起歧义,实际应为“多维公司研发团队往来电子邮件中所附技术资料中涉及到的‘BELLNT50各项异性磁阻闭环设计’的设计图”——本院注),该设计图已明确了电流传感器的整体结构,该设计图与诉争专利电流传感器的整体结构相同,两者的电路元件、电路元件之间的连接关系以及电桥结构的设计均相同。
多维公司提交的“Q8N3J1”设计图,该设计图涉及4个磁电阻元件形成的全桥电路,由磁电阻元件各自作为一个桥臂电连接构成一个电桥,磁电阻元件结构相同。
这与诉争专利的技术手段基本相同。
多维公司提交的设计图中磁电阻集成芯片采用电桥结构,该设计方案能够实现诉争专利相同的技术效果。
且,多维公司的在先专利“一种磁电阻磁场梯度传感器”的发明专利,该专利技术限定了在磁电阻元件两侧设置有永磁体,其与诉争专利中磁电阻元件两侧的两个软磁层具有相同的功能。
同时,在先专利的半桥和全桥型梯度计可以在同一基片上采用相同的工艺一次性制备而成,该技术方案整体上能实现诉争专利的“芯片中相同的层采用相同的材料和工艺一次镀膜制备形成,产品的一致性较好”的技术效果。
故原审法院有充分理由认定诉争专利与王建国在多维公司所从事的技术研发工作有关。
如上所述,诉争专利申请日为2012年10月24日,属于王建国与多维公司劳动关系终止后一年内所作出的与其在本单位工作相关的发明创造,为职务发明创造,涉案专利应当属于多维公司。
至于多维公司提出应由乐尔公司、王建国承担其维权费用的主张,鉴于本案系权属争议,其主张该费用并无法律依据,故依法不予支持。
原审法院判决:一、确认诉争专利权归多维公司所有;
二、驳回多维公司其他诉讼请求。
一审案件受理费1475元,由乐尔公司负担800元,多维公司负担675元。
原审法院查明的事实基本属实,本院予以确认。
二审中,乐尔公司、王建国为证明其上诉主张向本院提交了2组新证据:证据1为3份论文,1-1,LOW-resistancetunneljunctionsforreadheadapplications;
1-2,spintronicsfulladderformagneticcpu;
1-3,LowfrequencypicoteslafielddetectionusinghybridMgObasedtunnelsensors,证明目的:与涉案专利相关的技术内容在多维公司成立之前便在王建国论文中出现过,诉争专利依赖于所述论文的基础完成,与多维无关。
证据2为发明专利申请文件:“闭环霍尔电流传感器在高能大束流离子注入机灯丝电源中的应用”,证明目的:原审判决中所引用的闭环设计为现有设计,并非为多维公司的研发成果。
针对乐尔公司、王建国二审提交的证据,多维公司发表如下质证意见:证据1-1至1-3未说明来源,均为外文论文,未提供相应的译文,目前未收到公证书,不认可真实性,也不认可关联性。
证据2与本案争议无关,不具有关联性。
综上所述,乐尔公司、王建国二审提交的证据1-1和1-2只能表明王建国的学术背景涉及磁技术领域,证据1-3为案外人的论文,与本案争议无关,证据2为本案所涉专利的背景技术,也与本案争议无关。
对于乐尔公司、王建国二审提交的证据,结合多维公司的质证意见,本院认证如下:关于证据1和证据2的真实性,因证据1所涉材料均系公开发表的文献,多维公司虽质疑其真实性但并未提交否定该证据真实性的相关证据或者给出足以令人信服的理由;
多维公司并未否认证据2的真实性,故本院确认证据1和证据2的真实性。
至于证据1和证据2的关联性及证明力,本院将结合全案事实予以综合认定。
多维公司为证明其抗辩主张向本院提交了一份新证据:2011年11月22日的邮件以及附件,内容显示王建国为首席运营官,月薪62490元,证明王建国为多维公司员工,任职首席运营官,月薪62490元。
针对多维公司二审提交的证据,乐尔公司、王建国发表如下质证意见:认可真实性、合法性,不认可关联性。
邮件仅能证明首席运营官领取的薪资,但是不能证明首席运营官的工作内容以及王建国参与项目研发。
对于多维公司二审提交的证据,结合乐尔公司、王建国的质证意见,本院认证如下:鉴于乐尔公司、王建国对证据的真实性、合法性均认可,本院依法亦予以认可,至于其关联性和证明目的,本院将结合全案事实予以综合认定。
本院认为,本案二审争议焦点为:诉争专利是否为王建国在多维公司处的职务发明。
本案中,乐尔公司上诉主张,王建国仅是多维公司的董事,双方之间并未签订劳动合同,不能据此认定系多维公司的员工身份。
同时,诉争专利与王建国在多维公司从事的工作并无关联性,并且,结合王建国本身系诉争专利所涉技术领域的专家技术人员的事实,王建国在离开多维公司后数月内依靠其本身所掌握的专业知识和研究能力,独立作出诉争专利完全是有可能的。
对此,本院认为: 一、王建国与多维公司之间存在符合职务发明所要求的事实上的劳动关系 个人与用人单位系平等的民事主体,在不涉及国家、社会公共利益的情况下,双方之间形成何种关系应遵循意思自治原则。
因此,判断发明人与单位之间工作关系的性质,应当约定优先,在没有约定的情况下,才需要根据双方所实施的行为和结果进行综合判断。
本案中,王建国与多维公司之间不存在包括书面劳动合同在内的任何约定,故两者之间的工作关系是否符合职务发明所要求的劳动关系或临时工作关系,需根据发明人与主张职务发明的单位之间实际存在的关系予以综合判断。
根据王建国在多维公司担任首席运营官、缴纳社会保险记录、薪酬记录、个人所得税缴税记录、王建国接受媒体采访的报道、公司内部邮件往来等证据,足以证明2010年5月至2012年6月期间,王建国实际任职于多维公司并从事与新产品开发有关的工作,据此应当认定在2010年5月至2012年6月期间,王建国与多维公司之间存在符合职务发明所要求的事实上的劳动关系。
二、诉争专利与王建国在多维公司处工作内容存在关联性 首先,诉争专利系一种包含有磁电阻集成芯片的电流传感器,发明内容在于根据电流传感器的特定应用环境,对电流传感器尤其是对磁电阻集成芯片的内部结构作出特定的改进设计,以实现较好的产品一致性和抗干扰能力,具体包括采用多层膜结构、相同的层采用相同的材料和工艺一次镀膜制备成型、采用4个磁电阻元件的全桥电路结构等技术手段。
其次,关于王建国在多维公司工作期间的工作内容以及与涉案专利的相关性。
王建国在多维公司期间系多维公司“年产10亿个TMR磁阻传感器芯片和10亿个ASIC芯片”和“高性能、低功耗TMR磁传感器芯片的产业化”这两个研发项目的负责人,这些项目所涉领域范围涵盖了涉案专利的技术领域。
将诉争专利的权利要求、说明书内容及附图与多维公司提交的邮件证据中的技术图纸进行对比,可以看出涉案专利权利要求所记载的技术特征在技术图纸中均有部分体现。
在王建国参与的项目中,多维公司研发团队所形成的Q8N3J1设计图,该图纸已明确记载了4个磁电阻元件形成全桥电路,由磁电阻元件各自作为一个桥臂电连接构成一个电桥,且磁电阻元件结构相同。
由于磁电阻集成芯片采用电桥结构,因此该设计方案能够实现诉争专利“对外磁场的抗干扰能力明显增强”的技术效果。
这与诉争专利的技术手段、能实现的技术效果基本相同。
同时,在先专利的半桥和全桥型梯度计可以在同一基片上采用相同的工艺一次性制备而成,该技术方案整体上能实现诉争专利的“芯片中相同的层采用相同的材料和工艺一次镀膜制备形成,产品的一致性较好”的技术效果。
因此,原审法院认定诉争专利与王建国在多维公司所从事的技术研发工作有关具有充分的事实依据。
需要指出的是,原审判决“本院认为”部分所提及的“多维公司的在先专利‘一种磁电阻磁场梯度传感器’的发明专利,该专利技术限定了在磁电阻元件两侧设置有永磁体,其与诉争专利中磁电阻元件两侧的两个软磁层具有相同的功能”的裁判理由,虽缺乏一定事实依据,但该说理瑕疵不影响本案关于诉争专利与王建国在多维公司所从事的技术研发工作具有相关性的认定。
三、关于乐尔公司和王建国的其他主张及理由 首先,乐尔公司、王建国主张诉争专利系其离开多维公司后作出的,并提交了相应证据证明其有能力在数月内作出诉争专利发明的相关证据。
对此本院认为,在多维公司已经提交了充分证据证明诉争专利与王建国在多维公司任职期间的工作具有较为明确和具体的关联关系的情形下,王建国自身的专业背景和能力不足以否定诉争专利系其在多维公司处作出的职务发明,乐尔公司、王建国的此项主张本院不予支持。
其次,现有证据不能证明王建国在入职多维公司前已经形成诉争专利的完整技术方案。
乐尔公司、王建国二审中提交的王建国的相关论文并未记载诉争专利所要求保护技术方案的完整内容,故不足以否定诉争专利系王建国在多维公司处形成的职务发明。
最后,本案为专利权权属纠纷,主要审理内容为诉争专利的归属问题,在没有明显证据证明诉争专利为现有技术的情况下,对于乐尔公司、王建国二审证据所涉及的现有技术是否公开了诉争专利的部分技术内容以及诉争专利是否符合专利授权条件等问题,不属于本案审理范围,本院对此不予理涉。
综上所述,乐尔公司、王建国的上诉请求均不能成立,应予驳回;
原审判决认定事实清楚,适用法律正确,应予维持。
依照《中华人民共和国民事诉讼法》第一百七十条第一款第一项之规定,判决如下: 驳回上诉,维持原判。
二审案件受理费800元,由无锡乐尔科技有限公司、王建国负担。
本判决为终审判决。
审判长 张晓阳 审判员 傅 蕾 审判员 何 隽 二〇二〇年九月二十九日 法官助理牛鸿生 书记员张华 裁判要点 案号 (2020)最高法知民终1359号 案由 专利权权属纠纷 合 议 庭 审判长:张晓阳 审判员:傅蕾、何隽 法官助理:牛鸿生 书记员:张华 裁判日期 2020年9月29日 涉案专利 “一种电流传感器”发明专利(ZL201210409149.6) 关 键 词 职务发明的认定 当 事 人 上诉人(原审被告):无锡乐尔科技有限公司;
上诉人(原审第三人):王建国;
被上诉人(原审原告):江苏多维科技有限公司。
裁判结果 驳回上诉,维持原判。
原判决主文:一、确认第ZL201210409149.6号“一种电流传感器”专利权归江苏多维科技有限公司;
二、驳回江苏多维科技有限公司其他诉讼请求。
涉案法条 《中华人民共和国专利法》第六条第一款;
《中华人民共和国专利法实施细则》第十二条 法律问题 职务发明的认定 裁判观点 个人与用人单位系平等的民事主体,在不涉及国家、社会公共利益的情况下,双方之间形成何种关系应遵循意思自治原则。
因此,判断发明人与单位之间工作关系的性质,应当约定优先,在没有约定的情况下,才需要根据双方所实施的行为和结果进行综合判断。
注:本摘要并非裁判文书之组成部分,不具有法律效力。