{C} 中华人民共和国最高人民法院 行 政 判 决 书 （2020）最高法知行终593号 上诉人（原审原告）：比勒阿尔策瑙有限公司。

住所地：德意志联邦共和国阿尔策瑙。

法定代表人：亚历山大•巴特尔斯，该公司首席财务官。

法定代表人：斯蒂芬•塔勒，该公司经理。

委托诉讼代理人：王博，北京泛华伟业知识产权代理有限公司专利代理师。

委托诉讼代理人：刘霞，北京泛华伟业知识产权代理有限公司专利代理师。

被上诉人（原审被告）：国家知识产权局。

住所地：中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路**。

法定代表人：申长雨，该局局长。

委托诉讼代理人：杨燕，该局审查员。

委托诉讼代理人：袁丽颖，该局审查员。

上诉人比勒阿尔策瑙有限公司（以下简称比勒公司）因与被上诉人国家知识产权局发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服北京知识产权法院于2020年4月26日作出的（2019）京73行初3999号判决，向本院提起上诉。

本院于2020年11月16日立案后，依法组成合议庭，并于2020年12月10日对本案进行了询问，上诉人比勒公司的委托诉讼代理人王博、刘霞，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人杨燕、袁丽颖到庭参加询问,本案现已审理终结。

比勒公司上诉请求：1.撤销原审判决；

2.撤销国家知识产权局作出的第161089号复审请求审查决定（以下简称被诉决定）；

3.判令国家知识产权局承担一、二审诉讼费。

事实和理由：（一）原审判决认定事实不清，被诉决定认定事实错误。

1.专利申请号为第20128005……号，名称为“用于在基底上制造减反射层的方法和设备”发明专利申请（以下简称本申请）的权利要求1具备创造性。

对比文件1-3没有公开本申请权利要求1的如下区别技术特征：（2）“所述等离子体源适于操作以用于基底温度 国家知识产权局答辩称：原审判决认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，请求依法驳回上诉，维持原判。

比勒公司向原审法院提起诉讼，原审法院于2019年4月11日立案受理。

比勒公司起诉请求：撤销被诉决定，责令国家知识产权局重新作出复审请求审查决定。

事实和理由：（一）本领域技术人员基于对比文件2和3的教导，无法获得本申请权利要求1的区别技术特征（2）；

（二）本领域技术人员在现有技术没有提供教导的情况下无法获得本申请权利要求1的上述区别技术特征（3）和（4）；

（三）本申请独立权利要求7具备创造性，符合《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第二十二条第三款的规定。

国家知识产权局辩称：坚持被诉决定意见。

被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，审查结论正确，比勒公司的诉讼请求不能成立，请求驳回比勒公司的诉讼请求。

原审法院审理查明： 本申请的申请人为莱博德光学有限责任公司（后更名为比勒公司），优先权日为2011年9月28日，申请日为2012年9月28日，公开日为2014年7月30日。

国家知识产权局经实质审查，于2016年11月4日作出驳回决定，以本申请权利要求1-19不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性为由驳回申请。

驳回决定所依据的文本为：申请人于2014年5月28日进入中国国家阶段时提交的国际申请文件的中文译文的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-10页、说明书附图第1-5页；

2016年3月21日提交的权利要求第1-19项。

驳回决定所针对的权利要求书如下： “1.一种意欲并设置用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的设备(1)， -包括第一溅射装置(3)，用于将基部层(22)施加至所述塑料基底(20)的表面(21)， -包括等离子体源(4)，意欲并设置用于涂布后的基底表面(21)的等离子体蚀刻处理， -优选地包括第二溅射装置(5)，用于将保护层(24)施加至所述基底表面(21)， -包括用于至少一种加工气体的至少一个入口(8)， 其特征在于 -所述设备(1)包括真空室(2)，其中配置了加工装置(3，4，5)，以及 -所述设备(1)包括传送设备(10)，用于在所述真空室(2)的内部中在所述加工装置(3，4，5)之间移动所述基底(20)，并且其中，所述等离子体源(4)适于操作以用于基底温度 2.根据权利要求1所述的设备(1)，其特征在于，所述传送设备(10)是旋转板(11)或滚筒。

3.根据权利要求1或2所述的设备(1)，其特征在于，所述等离子体源(4)包含等离子体空间、激发电极以及具有磁北极和磁南极的磁体设备，其中，两个磁极在各情况下配置在所述激发电极之后远离等离子体的一侧并指向所述等离子体空间的内部，由此导致形成伸入至所述等离子体空间的内部中的弯曲磁场以及隧道状区域，充电粒子能够被保持在所述隧道状区域中并且能够沿着所述隧道状区域传播。

4.根据权利要求3所述的设备(1)，其特征在于，具有激发区域的激发电极经由匹配网络能够连接或连接至RF发生器，其中，其中能够激发等离子体的等离子体空间位于激发区域和引出电极之间，以及其中，所述引出电极的区域和所述激发区域的大小被选择以使得实际上整个射频电压在所述引出电极处降低，其中磁场设备被实现为具有至少一个磁北极和一个磁南极的平面磁控管，所述至少一个磁北极和一个磁南极在各情况下被配置在所述激发电极之后远离所述等离子体空间的一侧并指向所述等离子体空间的内部。

5.根据权利要求3或4所述的设备，其特征在于，所述激发电极在15℃至45℃之间的温度下操作。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的设备(1)，其特征在于，所述设备(1)包括测量装置(8)，用于所述塑料基底(20)的表面(21)的透射率和/或反射率的现场测量。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的设备(1)，其特征在于，所述等离子体源(4)被设置来以200瓦特至400瓦特之间的等离子体功率操作，或者所述等离子体源相对于所述引出电极的区域的功率密度是0.5-1.5W/cm²。

8.一种用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的方法，包括以下方法步骤： 在第一溅射装置(3)中将介电基部层(22)施加至所述基底(20)的表面(21)；

-通过等离子体源(4)利用等离子体蚀刻处理涂布表面(21)；

-在第二溅射装置(5)中将保护层(24)施加至处理后的表面(21)， 其特征在于，所述塑料基底(20)通过传送设备(10)在布置在同一真空室(2)中的加工装置(3，4，5)之间移动，并且其中，所述等离子体源适于使得方法步骤在 9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，施加所述基部层(22)和/或所述保护层(24)通过等离子体增强的反应溅射方法来实现。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述基部层(22)由元素Ti、Zr、Cr、Si、Al、Ta、Nb和/或Hf的氧化物、氮化物或氟化物组成并且具有1nm至5nm之间的层厚度。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的方法，其特征在于，修改所述涂布表面(21)通过反应等离子体蚀刻特别地在包含氧气的氛围中实现。

12.根据权利要求8-11中任一项所述的方法，其特征在于，施加所述保护层(24)同样通过等离子体增强的反应溅射方法来实现。

13.根据权利要求8-12中任一项所述的方法，其特征在于，所述保护层(24)由元素Si和/或Al的氧化物、氮化物或氟化物组成并且具有5nm至50nm之间的层厚度。

14.根据权利要求8-13中任一项所述的方法，其特征在于，除了所述保护层(24)以外还施加另外的疏水层(25)。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述另外的疏水层(25)具有1nm至20nm之间的层厚度。

16.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述激发电极在15℃至45℃之间的温度下操作。

17.根据权利要求15和16中任一项所述的方法，其特征在于，该方法在所述等离子体源的格栅和所述基底表面之间的距离是50-100mm的情况下进行。

18.根据权利要求8-17中任一项所述的方法，其特征在于，所述等离子体源(4)的等离子体功率在200瓦特至400瓦特之间，或者所述等离子体源相对于所述引出电极的区域的功率密度是0.5-1.5W/cm²。

19.根据权利要求1-18中任一项能够制造或制造的塑料基底(20)的表面(21)上的减反射层。

” 驳回决定引用的对比文件为：对比文件1：US2006/0151312A1，公开日：2006年7月13日。

对比文件1公开了一种用于在基底上制造具有低光学损失的多层涂覆层的设备，并具体公开了以下技术特征：其包括真空腔10，其被分为几个区域A、B和C；

区域A中第一阴极溅射源用作溅射系统3，通过反应溅射将溅射材料从溅射靶材中溅射出来，溅射材料和氧的混合物以一定溅射速率沉积在基底2上；

区域B中的等离子体源5，等离子体源产生的等离子体包括激发离子和剩余气体中反应性组份的自由基，反应性粒子作用在沉积的涂覆层上且进一步将其氧化；

区域C中优选与第一溅射源同样配置的第二阴极溅射源7；

每个区域A、B和C都具有自身的气体输送和泵供应装置；

平面传输装置6在第一阴极溅射源、等离子体源5和第二阴极溅射源7之间移动基底2……传输装置6为转盘（相当于旋转板）……在区域A和C之间布置了用于光学监测的光学测量装置8，通过光学测量装置可以获取沉积的层的光学性质，涂层的透射率和/或反射率能够被测量。

对比文件2：CN101588912A，公开日：2009年11月25日。

对比文件2中公开了一种在塑料表面上产生纳米结构（相当于减反射层）的方法，并具体公开了以下技术特征：在塑料基材1上施加薄层2（相当于基部层），例如可通过来自蒸发源3的真空蒸发进行，特别通过溅射如通过反应性磁控管溅射（必然对应一溅射装置，其具有用于加工气体的入口）的施加是合适的，施加在塑料基材1上的薄层2优选为氧化物层、氮化物层或氟化物层，特别适用于由TiO2、SiO2、MgF2或由氮化硅制成的薄层；

在塑料基材1上施加薄层2后，实施等离子蚀刻工艺以在塑料基材1表面上产生纳米结构，为产生等离子体例如使用等离子体离子源4（必然具有用于加工气体的入口）；

在塑料基材1的表面上产生纳米结构6后，在该纳米结构6上施加透明的保护层7（必然对应一形成该保护层的装置），由于该纳米结构6的降低反射的作用，所以本方法特别适于不希望有入射辐射的反射的塑料基材1……薄层2特别是通过溅射如通过反应性磁控管溅射的施加……薄层2厚度优选为2nm或更小……薄层2优选为氧化物层、氮化物层或氟化物层，特别适用于由TiO2、SiO2、MgF2或由氮化硅制成的薄层；

透明保护层7的厚度为10-50nm，优选为SiO2……实施等离子体蚀刻以在塑料基材1表面上产生纳米结构。

为产生等离子体例如使用等离子体源4。

该等离子体特别可以是其中导入氧的氩等离子体。

对比文件3：WO2010/124836A1，公开日：2010年11月4日。

对比文件3公开了一种用于产生等离子射束的方法以及等离子体源，并具体公开了以下技术特征：激励电极以及激励面可由可良好导热的材料如铝、铜或类似物制成。

特别有利的是，对具有至少部分焊接的激励面的激励电极实时水冷，用于使等离子体源和/或衬底的热负荷保持很小……高频等离子体源1具有等离子体容器2、激励电极6（相当于激发电极），在激励面6a和板状元件5的背面上设置有具有磁铁9a、9b、9c以及具有极靴9d的磁装置8，磁铁9a、9b、9c分别包括一个磁性北极和一个磁性南极（相当于具有磁北极和磁南极的磁体设备），磁性北极和磁性南极分别被设置在激励电极6后面的背离该等离子体的侧上并且指向等离子体腔室的内部，使得形成一个弯曲地伸入到等离子体腔室内部中的磁场，其中北极或南极中的至少一个被长形地构造，使得可形成一个隧道状区域，加载的粒子可被保持在该区域中，并且它们可沿着该区域扩散……等离子体源具有一个带有引出电极和带有具有激励面的激励电极的高频电极装置的等离子体容器，该激励面通过一个适配网络与一个高频振荡器可连接或与其连通，其中，在激励面与引出电极之间存在一个等离子体腔室，在该腔室中可激发一个等离子体及其中引出电极和激励面的面积大小被这样地选择，使得几乎全部高频电压在引出电极处下降，并且具有一个用于产生磁场的磁装置，该磁装置具有至少一个磁性北极和一个磁性南极（相当于磁场设备被实现为具有至少一个磁北极和一个磁南极的平面磁控管），它们分别被设置在激励电极后面的背离等离子体腔室的一侧上并且指向等离子体腔室内部；

此外，RF是本领域所常采用的高频电流。

国家知识产权局实质审查部门在驳回理由中认为： 第一，独立权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）基底为塑料基底，第二溅射装置用于将保护层施加至基底表面，该设备用于在塑料基底表面上制造减反射层；

（2）等离子体源适于操作以用于基底温度 第二，从属权利要求2-7的附加技术特征或被对比文件1-3公开，或属于本领域公知常识。

因此，从属权利要求2-7也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。

第三，独立权利要求8与对比文件2的区别技术特征是：（1）在第一溅射装置中将介电基部层施加至所述基底的表面，在第二溅射装置中将保护层施加至处理后的表面，所述塑料基底通过传送设备在布置在同一真空室中的加工装置之间移动；

（2）等离子体源适于使得方法步骤在 第四，从属权利要求9-18的附加技术特征或被对比文件1-2公开，或属于本领域公知常识。

因此，从属权利要求9-18不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。

第五，独立权利要求19请求保护一种根据权利要求1-18中任一项能够制造或制造的塑料基底的表面上的减反射层，对比文件2公开了在塑料表面上产生纳米结构（相当于在塑料基底的表面上制造的减反射层）的方法。

由于其所引用的权利要求不具备创造性，因此权利要求19也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。

比勒公司不服上述驳回决定，向国家知识产权局提出复审请求，但没有修改申请文件。

国家知识产权局依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。

原审查部门经审查后坚持原驳回决定。

国家知识产权局随后成立合议组进行审理,并发出复审通知书，对复审请求人的上述意见不予接受。

比勒公司于2018年6月15日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文替换页（共包括第1-16项权利要求），所作的修改是：基于复审通知书所针对的权利要求书，将从属权利要求17-18的附加技术特征补入到独立权利要求1和8，删除从属权利要求7、17-18，并对于权利要求序号以及引用关系进行适应性修改。

修改后的权利要求1、7的内容如下： “1.一种意欲并设置用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的设备(1)，包括第一溅射装置(3)，用于将基部层(22)施加至所述塑料基底(20)的表面(21)，包括等离子体源(4)，意欲并设置用于涂布后的基底表面(21)的等离子体蚀刻处理，优选地包括第二溅射装置(5)，用于将保护层(24)施加至所述基底表面(21)，包括用于至少一种加工气体的至少一个入口(8)，其特征在于： 所述设备(1)包括真空室(2)，其中配置了加工装置(3，4，5)，所述设备(1)包括传送设备(10)，用于在所述真空室(2)的内部中在所述加工装置(3，4，5)之间移动所述基底(20)，并且其中，所述等离子体源(4)适于操作以用于基底温度 “7.一种用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的方法，包括以下方法步骤： 在第一溅射装置(3)中将介电基部层(22)施加至所述基底(20)的表面(21)；

通过等离子体源(4)利用等离子体蚀刻处理涂布表面(21)；

在第二溅射装置(5)中将保护层(24)施加至处理后的表面(21)，其特征在于，所述塑料基底(20)通过传送设备(10)在布置在同一真空室(2)中的加工装置(3，4，5)之间移动，并且其中，所述等离子体源适于使得方法步骤在 国家知识产权局在上述程序基础上作出被诉决定，维持对本申请作出的驳回决定。

原审法院认为： 判定本申请是否具备创造性，首先，需要确定与本申请独立权利要求最接近的现有技术。

本申请权利要求1、7系独立权利要求。

对比文件2公开了一种在塑料表面上产生纳米结构（相当于减反射层）的方法，由于为实现该方法，必然会有对应于在塑料表面上产生纳米结构的设备，且对比文件2技术方案公开了本申请权利要求1、7的相关部分的技术特征，比勒公司亦对于对比文件2构成上述两项独立权利要求最接近的现有技术无异议。

其次，确定本申请权利要求1、7与对比文件2之间的区别技术特征和权利要求1、7技术方案要实际解决的技术问题。

比勒公司对于被诉决定认定的本申请权利要求7与对比文件2之间存在的区别技术特征，以及该项独立权利要求技术方案要实际解决的技术问题的认定没有异议；

对于被诉决定认定的本申请权利要求1与对比文件2之间存在的区别技术特征，以及该项独立权利要求技术方案所要实际解决的技术问题的认定没有异议，但质疑对区别技术特征（2）、（3）、（4）的认定没有证据支持。

对此，根据本申请说明书的相关记载，区别技术特征（2）所要解决的问题是对于塑料基底的保护；

由于权利要求1中对于等离子源的具体参数的限定并非单纯是为了获得高透射率，其是为了实现透射率与蚀刻时间即与蚀刻的速度、蚀刻的损伤等因素之间的平衡，故区别技术特征（3）、（4）所要解决的问题是低损伤以及高效蚀刻。

故被诉决定对区别技术特征（2）、（3）、（4）的认定有事实依据。

再者，判断区别技术特征对于本领域技术人员来说是否是显而易见。

关于区别技术特征（2）、（3）、（4），对比文件2中明确公开了“实施等离子蚀刻工艺以在塑料基材1表面上产生纳米结构，为产生等离子体例如使用等离子体源4”；

对比文件3明确公开的是一种等离子体源，且该等离子体源能够使得等离子体源和/或衬底的热负荷保持很小。

此外，对于本领域技术人员而言，塑料基底本身一般不能承受高温，故当对对比文件1的塑料基底进行等离子处理时，本领域技术人员显然有动机选择对比文件3所公开的能够使得衬底的热负荷保持很小的等离子源，而热负荷能够保持很小的基底温度例如＜100℃，这是本领域技术人员为了保护塑料基底所作出的常规选择。

对比文件1中进行等离子蚀刻而获得的纳米结构，是为了降低反射，则其显然是有较高透射率，且对于本领域技术人员而言，等离子体源的格栅和基底表面之间的距离、等离子体源功率，以及等离子体源相对于引出电极区域的功率密度等，是影响等离子体蚀刻的重要因素，同时也影响通过其所获得的纳米结构，故本领域技术人员有动机在考虑透射率的情况下，兼顾低损伤以及高效蚀刻的考虑因素，经过一定的试验能够确定上述等离子体源的相关参数。

因此，在对比文件2的基础上，结合对比文件1、3以及本领域的公知常识，获得权利要求1的技术方案，相对于本领域技术人员而言是显而易见的。

对于比勒公司坚持认为面对区别技术特征（2）、（3）、（4），得出本申请权利要求1技术方案非显而易见，本领域技术人员没有动机作出常规选择，属于“事后诸葛亮”，以及公知常识没有证据支持的理由不成立。

本权利要求1不具有突出的实质性特点，同理，权利要求7亦不具有突出的实质性特点，上述两项独立权利要求不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，被诉决定认定正确。

比勒公司在庭审中主要围绕涉案专利的两项独立权利要求的创造性问题进行阐述，对于其他从属权利要求项的创造性问题未作进一步阐述，但其明确表示在独立权利要求具备创造性的前提下，其他从属权利要求项亦具备创造性。

据此，经审查，对被诉决定关于各项从属权利要求的评述理由予以认可，即权利要求2-6、8-16中的附加技术特征已被对比文件公开，其他特征部分或是本领域技术人员根据公开的内容得到技术启示作出的常规技术选择，或属于公知常识，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，其本身也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，被诉决定认定正确。

原审法院判决：驳回比勒公司的诉讼请求。

一审案件受理费100元，由比勒公司负担。

二审期间，当事人均未提交新证据。

原审查明的事实基本属实，本院予以确认。

另查明，本申请说明书记载：尽管所述文献已经公开了用于制造光学元件的减反射层的不同方法，但没有提出适用于以批量生产能力制造这种涂层的任何设备。

对比文件2说明书第3页倒数第3段记载：在本发明方法的第一个中间步骤中在塑料基材1上施加薄层2。

该塑料基材优选含聚碳酸酯、环烯烃聚合物、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚酰胺、PET、PMMA或CR39。

第5页倒数第6行记载：在该实施例中所用的Zeonex®塑料基材的特征在于，例如与PMMA比较，其有相对好的热稳定性，特别是可用于至多约125℃的温度。

二审中，比勒公司明确表示，如果法院认定独立权利要求1、7不具备创造性，则其仅主张从属权利要求3、4具备创造性。

本院认为，本案的争议焦点问题是：本申请权利要求是否具备创造性。

（一）关于本申请权利要求1、7是否具备创造性 比勒公司上诉主张，对比文件3未公开区别技术特征（2），亦未给出将该区别技术特征应用到对比文件2的技术启示。

区别技术特征（3）、（4）不属于本领域公知常识，对比文件亦未公开该区别技术特征。

对此，本院认为： 关于区别技术特征（2）所述等离子体源适于操作以用于基底温度 关于区别技术特征（3）等离子体源的格栅和所述基底表面之间的距离是50-100mm、（4）所述等离子体源被设置来以200瓦特至400瓦特之间的等离子体功率操作，或者所述等离子体源相对于所述引出电极的区域的功率密度是0.5-1.5W/cm²。

本院认为，首先，对比文件2中公开了采用等离子体蚀刻工艺进行相应蚀刻时，等离子体源的格栅和基底表面之间的距离、等离子体源功率以及等离子体源相对于引出电极区域的功率密度等都是蚀刻工艺必然考虑的参数，这些参数会影响等离子体蚀刻的结果、即由其所获得的纳米结构的性能。

其次，为了达到低损伤、高效蚀刻的目的，本领域技术人员会根据实际生产需求，对等离子体源的格栅和基底表面之间的距离、等离子体源的等离子体功率或者等离子体源相对于引出电极区域的功率密度进行不同安排和选择。

本申请图3、图4亦表明本领域技术人员经过一定的试验即能够确定上述等离子体源的相关参数，这并未带来预料不到的技术效果。

因此，在对比文件2的基础上，结合对比文件1、3以及本领域的公知常识，获得权利要求1的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具备创造性。

基于相同的理由，权利要求7亦不具备创造性。

（二）关于从属权利要求3、4是否具备创造性 由于比勒公司明确表示，在权利要求1、7不具备创造性的基础上，仅主张从属权利要求3、4的创造性，故本院仅对权利要求3、4是否具备创造性进行评价。

关于权利要求3。

权利要求3是权利要求1或2的从属权利要求，该附加技术特征已被对比文件3所公开（参见说明书第6页倒数第1段-第7页第1段、第13页倒数第2段-第14页第2段，附图1a-1b）：高频等离子体源1具有等离子体容器2、激励电极6（相当于激发电极），在激励面6a和板状元件5的背面上设置有具有磁铁9a、9b、9c以及具有极靴9d的磁装置8，磁铁9a、9b、9c分别包括一个磁性北极和一个磁性南极（相当于具有磁北极和磁南极的磁体设备），磁性北极和磁性南极分别被设置在激励电极6后面的背离该等离子体的侧上并且指向等离子体腔室的内部，使得形成一个弯曲地伸入到等离子体腔室内部中的磁场，其中北极或南极中的至少一个被长形地构造，使得可形成一个隧道状区域，加载的粒子可被保持在该区域中并且它们可沿着该区域扩散。

因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求3也不具备创造性。

权利要求4是权利要求3的从属权利要求，该附加技术特征已被对比文件3所公开（参见说明书第6页第3段）：等离子体源具有一个带有引出电极和带有具有激励面的激励电极的高频电极装置的等离子体容器，该激励面通过一个适配网络与一个高频振荡器可连接或与其连通，其中，在激励面与引出电极之间存在一个等离子体腔室，在该腔室中可激发一个等离子体及其中引出电极和激励面的面积大小被这样地选择，使得几乎全部高频电压在引出电极处下降，并且具有一个用于产生磁场的磁装置，该磁装置具有至少一个磁性北极和一个磁性南极（相当于磁场设备被实现为具有至少一个磁北极和一个磁南极的平面磁控管），它们分别被设置在激励电极后面的背离等离子体腔室的一侧上并且指向等离子体腔室内部；

此外，RF是本领域所常采用的高频电流，射频属于高频的一种。

因此，在其引用的权利要求3不具备创造性的基础上，权利要求4也不具备创造性。

综上，比勒公司的上诉请求不能成立，应予驳回。

原审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。

依照《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。

二审案件受理费100元，由比勒阿尔策瑙有限公司负担。

本判决为终审判决。

审判长　　张晓阳 审判员　　傅　蕾 审判员　　何　隽 二〇二〇年十二月二十四日 法官助理宾岳成 书记员谢思琳 裁判要点 案　　号 （2020）最高法知行终593号 案　　由 发明专利申请驳回复审行政纠纷 合 议 庭 审判长：张晓阳 审判员：傅蕾、何隽 法官助理：宾岳成 书记员：谢思琳 裁判日期 2020年12月24日 涉案申请 “用于在基底上制造减反射层的方法和设备”发明专利申请（20128005……） 关 键 词 发明专利申请；

区别技术特征；

创造性 当 事 人 上诉人（原审原告）：比勒阿尔策瑙有限公司；

被上诉人（原审被告）：国家知识产权局。

裁判结果 判决：驳回上诉，维持原判。

原判决主文：驳回比勒阿尔策瑙有限公司的诉讼请求。

（第161089号复审请求审查决定主文：维持国家知识产权局对本申请作出的驳回决定。

） 涉案法条 《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款；

《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项。

法律问题 创造性判断 裁判观点 1.对比文件3公开了在采用其所公开的等离子体源结构时能够使得被等离子体源处理的衬底的热负荷保持很小，即使得衬底保持较低的温度。

虽然该实施例属于优选实施例，但仍是一个完整的技术方案，并公开了相关技术特征。

而且，本领域技术人员知晓，塑料基底本身一般不能承受高温，故当对塑料基底进行等离子体蚀刻处理时，本领域技术人员有动机采用对比文件3所公开的能够使得塑料基底的热负荷保持很小的等离子体源，采用热负荷保持很小的基底温度 2.在对比文件2的基础上，结合对比文件1、3以及本领域的公知常识，获得权利要求1的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具备创造性。

注：本摘要并非判决书之组成部分，不具有法律效力。